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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
13.2
16.7
写入速度,GB/s
8.4
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3110
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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