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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
82
左右 68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
82
读取速度,GB/s
13.2
12.3
写入速度,GB/s
8.4
11.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
1930
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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