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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
26
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
22
读取速度,GB/s
13.2
20.0
写入速度,GB/s
8.4
16.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
4006
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Jinyu 16GB
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AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
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