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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.2
17.6
写入速度,GB/s
8.4
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3705
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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