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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
13.2
16.8
写入速度,GB/s
8.4
12.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3115
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
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