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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
13.2
16.4
写入速度,GB/s
8.4
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3278
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Frequency (Mhz) *
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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