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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
13.2
16.3
写入速度,GB/s
8.4
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2867
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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