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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
24
读取速度,GB/s
13.2
19.4
写入速度,GB/s
8.4
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3496
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
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