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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kingston 9965640-004.C00G 16GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
59
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
7.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
4.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
59
读取速度,GB/s
13.2
7.3
写入速度,GB/s
8.4
4.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
1421
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
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Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
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