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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
13.2
18.9
写入速度,GB/s
8.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3184
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
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