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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
47
读取速度,GB/s
13.2
10.0
写入速度,GB/s
8.4
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2308
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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