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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 43% 更低的延时
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
46
读取速度,GB/s
13.2
14.2
写入速度,GB/s
8.4
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2717
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
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