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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
100
左右 74% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
100
读取速度,GB/s
13.2
15.2
写入速度,GB/s
8.4
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
1479
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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