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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
12.4
19.0
写入速度,GB/s
7.5
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
3683
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
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