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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.3
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.4
21.3
写入速度,GB/s
7.5
17.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
4251
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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