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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.6
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.4
12.6
写入速度,GB/s
7.5
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
3077
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Jinyu 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
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