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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
12.4
15.5
写入速度,GB/s
7.5
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2685
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
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