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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
12.4
13.4
写入速度,GB/s
7.5
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2467
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
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