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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.4
17.8
写入速度,GB/s
7.5
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
3208
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KTP9W1-MID 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
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