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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.1
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.4
17.1
写入速度,GB/s
7.5
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
3409
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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