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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
12.4
15.7
写入速度,GB/s
7.5
12.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2871
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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