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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

总分
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

总分
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB 需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 12.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.2 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    12.4 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 14.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2014 left arrow 3463

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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内存RAM
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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