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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
40
读取速度,GB/s
12.4
13.4
写入速度,GB/s
7.5
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2495
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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