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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.4
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
12.4
19.4
写入速度,GB/s
7.5
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
3351
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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