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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
25
读取速度,GB/s
17.4
19.0
写入速度,GB/s
10.9
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3683
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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