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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
47
读取速度,GB/s
17.4
11.8
写入速度,GB/s
10.9
9.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2323
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
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