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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 -35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
23
读取速度,GB/s
17.4
17.0
写入速度,GB/s
10.9
12.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2963
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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