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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
33
读取速度,GB/s
17.4
16.5
写入速度,GB/s
10.9
13.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3160
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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