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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
31
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
18
读取速度,GB/s
17.4
21.3
写入速度,GB/s
10.9
16.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3836
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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