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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 -19% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
26
读取速度,GB/s
17.4
15.3
写入速度,GB/s
10.9
11.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2987
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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