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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
53
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
53
读取速度,GB/s
17.4
12.6
写入速度,GB/s
10.9
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3040
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
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