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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
17.4
17.6
写入速度,GB/s
10.9
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3635
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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