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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
34
读取速度,GB/s
17.4
15.4
写入速度,GB/s
10.9
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2791
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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