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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
34
读取速度,GB/s
17.4
15.4
写入速度,GB/s
10.9
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2791
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
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