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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
29
读取速度,GB/s
17.4
18.5
写入速度,GB/s
10.9
15.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3787
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
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