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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
17.4
18.0
写入速度,GB/s
10.9
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3490
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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