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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
29
读取速度,GB/s
17.4
17.6
写入速度,GB/s
10.9
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3687
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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