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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
差异
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
17.4
19.2
写入速度,GB/s
10.9
15.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3698
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
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