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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
29
读取速度,GB/s
17.4
17.6
写入速度,GB/s
10.9
16.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3678
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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