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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
差异
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
17.4
18.2
写入速度,GB/s
10.9
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3666
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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