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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
62
左右 50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
17.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
62
读取速度,GB/s
17.4
18.0
写入速度,GB/s
10.9
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2018
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
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