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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
17.4
16.8
写入速度,GB/s
10.9
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2683
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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