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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
39
读取速度,GB/s
17.4
14.0
写入速度,GB/s
10.9
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2810
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
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