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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
31
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
22
读取速度,GB/s
17.4
17.4
写入速度,GB/s
10.9
12.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3135
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
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