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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
67
左右 54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
67
读取速度,GB/s
17.4
15.9
写入速度,GB/s
10.9
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1850
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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