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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
17.4
17.8
写入速度,GB/s
10.9
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3568
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
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