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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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更快的读取速度,GB/s
20.3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.2
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
31
读取速度,GB/s
17.4
20.3
写入速度,GB/s
10.9
18.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3738
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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