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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
31
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
21
读取速度,GB/s
17.4
21.4
写入速度,GB/s
10.9
17.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3954
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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