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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

总分
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

总分
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 31
    左右 -7% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    21.3 left arrow 17.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    17.3 left arrow 10.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    31 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 21.3
  • 写入速度，GB/s
    10.9 left arrow 17.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2735 left arrow 4506

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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