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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Kingston 9905700-017.A00G 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
17.4
16.3
写入速度,GB/s
10.9
12.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2790
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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