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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
25
读取速度,GB/s
17.4
19.3
写入速度,GB/s
10.9
15.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3751
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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